英特尔将在未来冲击1nm工艺:基于新一代光刻机
英特爾過去幾年在半導體制造的工藝所取得的成就遠不如臺積電,當然英特爾也承認了自己的不足。不過作為半導體巨頭的英特爾自然會通過強大的研發團隊在半導體領域不斷地追趕,就在之前的技術大會上,英特爾就已經公布了未來數年的工藝制程路線圖,包括Intel 4、Intel 3、Intel 2乃至于Intel 18A,而現在又有消息稱英特爾已經開始為之后兩代制程工藝做準備以及命名。 除了英特爾之外,半導體組織也給出了他們對于未來制程工藝的定義,比如說2024年的N2工藝也就是2nm制程工藝,2026年將會達到A14工藝或者說是說1.4nm,最多的預測甚至達到了2036年,屆時全球半導體工藝將會達到A2,也就是0.2nm,基本上已經趨近于物理晶體管的極限了。 毫無疑問根據英特爾曝光的消息,英特爾這里希望沖擊的是A14以及A10兩個工藝,相當于1.4nm以及1nm,只是這兩個工藝距離正式量產還有相當長的距離,此外想要實現如此先進的工藝制程,采用EUV光刻機必不可少,而光刻機領域毫無疑問要依靠ASML。伴隨著制程工藝的進步,光刻機的功耗也越來越高,據悉為了滿足如此先進的制程工藝,ASML還要對光刻機進行更新換代,比如說在2026年推出基于High NA技術的EUV光刻機,能夠將分辨率進一步提升,只是價格也將翻番,從目前的1.5億美元飛躍至4億美元。 估計伴隨著半導體工藝的進步,未來晶圓代工的價格也將水漲船高,不知道芯片性能與日俱增,價格是否也將不斷上漲。
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