台积电首次公布2nm制程指标：性能提升15%，功耗下降35%
如果說在AI領域最成功的公司是NVIDIA的話，那么在晶圓制造領域最成功的無疑就是臺積電，過去在10nm、7nm時代還是英特爾以及三星來跟臺積電打得有來有回，而到了5nm乃至于3nm時代，基本上就是臺積電一家獨大了，先進制程吃滿產能，營收也是節節攀升，而在3nm制程之后的制程就是2nm制程，無論是性能還是功耗將再一次提升。而臺積電也在一次半導體會議上公布了最新的2nm制程的技術指標，還是相當給力的。
在IEEE 國際電子設備會議上，臺積電介紹了自家在半導體制造領域的最新進度，其中最受關注的便是2nm制程的性能與技術指標。與目前已經商用的3nm制程相比，2nm制程能夠取得在相同功耗下性能提升15%，此外在同等性能下，2nm制程的功耗也將下降24%-35%，這個性能參數指標還是相當給力的，特別是對于今后高性能AI芯片來說，更低的功耗能夠讓能耗更加讓人滿意。
之前FinFET晶體管十分地成功，不過在更加先進的制程上，FinFET也已經有些力不從心，因此臺積電選擇了全新的晶體管，這種晶體管相比較FinFET可以在低電壓下取得75%的能耗下降，晶體管密度也提升不少。
除了2nm之外，臺積電還表示已經開始研發1nm以下的晶體管，當然現在還是很早期，距離正式量產和商用還有很長的一段時間。不過隨著2nm甚至1nm的落地，估計未來芯片的成本也將越來越高，從而讓終端產品的價格再次提升。
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