如果說(shuō)在AI領(lǐng)域最成功的公司是NVIDIA的話，那么在晶圓制造領(lǐng)域最成功的無(wú)疑就是臺(tái)積電，過去在10nm、7nm時(shí)代還是英特爾以及三星來(lái)跟臺(tái)積電打得有來(lái)有回，而到了5nm乃至于3nm時(shí)代，基本上就是臺(tái)積電一家獨(dú)大了，先進(jìn)制程吃滿產(chǎn)能，營(yíng)收也是節(jié)節(jié)攀升，而在3nm制程之后的制程就是2nm制程，無(wú)論是性能還是功耗將再一次提升。而臺(tái)積電也在一次半導(dǎo)體會(huì)議上公布了最新的2nm制程的技術(shù)指標(biāo)，還是相當(dāng)給力的。

在IEEE 國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上，臺(tái)積電介紹了自家在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的最新進(jìn)度，其中最受關(guān)注的便是2nm制程的性能與技術(shù)指標(biāo)。與目前已經(jīng)商用的3nm制程相比，2nm制程能夠取得在相同功耗下性能提升15%，此外在同等性能下，2nm制程的功耗也將下降24%-35%，這個(gè)性能參數(shù)指標(biāo)還是相當(dāng)給力的，特別是對(duì)于今后高性能AI芯片來(lái)說(shuō)，更低的功耗能夠讓能耗更加讓人滿意。

之前FinFET晶體管十分地成功，不過在更加先進(jìn)的制程上，F(xiàn)inFET也已經(jīng)有些力不從心，因此臺(tái)積電選擇了全新的晶體管，這種晶體管相比較FinFET可以在低電壓下取得75%的能耗下降，晶體管密度也提升不少。

除了2nm之外，臺(tái)積電還表示已經(jīng)開始研發(fā)1nm以下的晶體管，當(dāng)然現(xiàn)在還是很早期，距離正式量產(chǎn)和商用還有很長(zhǎng)的一段時(shí)間。不過隨著2nm甚至1nm的落地，估計(jì)未來(lái)芯片的成本也將越來(lái)越高，從而讓終端產(chǎn)品的價(jià)格再次提升。